离子注入是导电基材制造中的关键工艺，通过将特定离子注入导电基材，精确控制掺杂深度、浓度和分布，以优化器件性能。主流产品有三氟化硼（BF₃）、磷烷（PH₃）、砷烷（AsH₃）等，通过注入不同离子（如硼、磷）调节载流子浓度，优化晶体管阈值电压及开关速度。随着技术的不断发展，其在先进制程中的应用将更加广泛。